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钇铁石榴石薄膜结构及制备方法

摘要

钇铁石榴石薄膜结构,属于电子材料领域,它特别涉及钇铁石榴石薄膜材料的射频磁控溅射制备方法。本发明包括Si基片和其上的钇铁石榴石薄膜层,在Si基片和钇铁石榴石薄膜层之间还有CeO

著录项

  • 公开/公告号CN101311374B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-10-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN200810044302.3

  • 申请日2008-04-28

  • 分类号

  • 代理机构成都惠迪专利事务所;

  • 代理人刘勋

  • 地址 610054 四川省成都市建设北路二段4号

  • 入库时间 2022-08-23 09:11:39

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-06-25

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 29/28 授权公告日:20121031 终止日期:20130428 申请日:20080428

    专利权的终止

  • 2012-10-31

    授权

    授权

  • 2011-05-11

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/28 申请日:20080428

    实质审查的生效

  • 2008-11-26

    公开

    公开

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