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良率参数文件和门级网表的生成方法以及芯片的开发流程

摘要

本发明提供了一种良率参数文件和门级网表的生成方法以及芯片的开发流程,其中良率参数文件的生成方法包括:首选,提供数据库,且所述数据库中具有多个单元的数据参数;其次,建立仿真验证平台,并对所述单元进行仿真得到仿真参数,确认所述仿真参数与所述单元的数据参数的一致性;最后,设定所述仿真验证平台的约束条件,并通过所述仿真验证平台对所述单元进行蒙卡仿真得到良率仿真结果,且所有单元的良率仿真结果归纳成良率参数文件。所述良率参数文件可在后续综合的过程中对单元进行良率筛选,以使生成的门级网表有完整的良率仿真数据,能够提高流片的成功率,缩短芯片的开发周期和开发成本。

著录项

  • 公开/公告号CN111581899A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-08-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 杨家奇;

    申请/专利号CN202010366438.7

  • 发明设计人 王闵玄;张唯扬;王韦棠;陈圣文;

    申请日2020-04-30

  • 分类号G06F30/327(20200101);

  • 代理机构31295 上海思捷知识产权代理有限公司;

  • 代理人王宏婧

  • 地址 中国台湾新北市永和区文化路16巷3号4楼

  • 入库时间 2023-12-17 11:45:16

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-25

    公开

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