公开/公告号CN111540667A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-08-14
原文格式PDF
申请/专利权人 美光科技公司;
申请/专利号CN201911348438.8
申请日2019-12-24
分类号H01L21/02(20060101);H01L27/108(20060101);
代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人王龙
地址 美国爱达荷州
入库时间 2023-12-17 11:36:58
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-14
公开
公开
机译: 是用于半导体设备内部多层互连基板的空孔布线衬底材料和在半导体设备上形成导体布线的布线衬底材料
机译: 用于高频器件的绝缘体上硅衬底的生产涉及在单晶硅组件层上形成的单晶硅锗层上形成表面氧化的单晶硅层
机译: CMOS设备的含锗通道上的氧化硅和高k栅极电介质的氧化锗无原子层沉积