功率半导体器件和形成功率半导体器件的方法

摘要

形成功率半导体器件的方法包括提供半导体本体；提供布置在半导体本体上或内的控制电极；在邻近控制电极的半导体本体中形成第一导电类型的多个升高源极区，形成升高源极区包括：将第一导电类型的掺杂剂注入半导体本体中；在半导体本体表面上形成凹陷掩模层；和通过第一蚀刻工艺去除未被凹陷掩模层覆盖的半导体本体的部分以形成升高源极区和邻近升高源极区的凹陷本体区，凹陷本体区布置在升高源极区之间。方法还包括在半导体本体表面上形成电介质层；在电介质层上形成接触孔掩模层；通过第二蚀刻工艺去除未被接触孔掩模层覆盖的电介质层的部分以形成接触孔；和用导电材料填充接触孔以建立与至少部分升高源极区和至少部分凹陷本体区的电接触。