高耐圧パワー半導体素子の宇宙放射線環境下故障率の計算手法に関する研究

机译：空间辐射环境下高压功率半导体器件故障率的计算方法研究

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九州工業大学博士学位論文（要旨）学位記番号：工博甲第445号学位授与年月日：平成29年9月22日

机译：九州工业大学博士论文（摘要）学位编号：445号工程博览会授予日期：2017年9月22日

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作者
Erdenebaatar Dashdondog;
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年度 2017
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1. 磁場閉じ込め核融合施設における電磁環境と安全指針5.核融合関連施設における電磁環境とその影響5. 2電磁界と電子機器との相互作用5. 2. 2放射線管理施設で使用する半導体式放射線線量計の場合 [J] . 出路静彦, 西澤邦秀プラズマ·核融合学会志 . 2012,第8期

机译：磁场限制核聚变设施中的电磁环境和安全准则5.电磁环境及其对与核聚变有关的设施的影响5.2电磁场和电子设备之间的相互作用5.2 2.2辐射控制设施中使用的半导体型辐射剂量在合计的情况下
2. 磁場閉じ込め核融合施設における電磁環境と安全指針5.核融合関連施設における電磁環境とその影響5. 2電磁界と電子機器との相互作用5. 2. 2放射線管理施設で使用する半導体式放射線線量計の場合 [J] . 出路静彦, 西澤邦秀プラズマ·核融合学会志 . 2012,第8期

机译：磁融合交通融合设施的电磁环境和安全指南5.两个电磁环境及其效果5. 2与电磁因子和电子的相互作用5. 2.在辐射管理设施中使用的2半导体辐射剂量
3. 高耐圧大容量分野のパワーデバイス発展を支える力－IGBT発展を支えた要因を分析するとともに、ワイドバンドギャップ半導体を含めた今後のパワーデバイスの展望を語る [J] . 中川明夫氏、四戸孝氏電子技術 . 2003,第10期

机译：在高耐压和大容量领域中支持功率器件发展的功率-分析支持IGBT发展的因素，并讨论包括宽带隙半导体在内的未来功率器件的前景。
4. 放射線照射環境下にあるコンクリートの物性変化に関する研究－その14 数値解析手法における放射線の影響について－ [C] . 石川俊介, 丸山一平, 篠野宏, 日本建築学会;日本建築学会大会 . 2017

机译：辐射环境下混凝土物理性能变化的研究-第14部分辐射对数值分析的影响-
5. 半導体レーザー励起高効率ハイパワー固体レーザーの開発に関する研究 [D] . 近江, 雅人 1995

机译：半导体激光器泵浦高效大功率固态激光器的研究
6. 高耐圧パワー半導体素子を目指したp型SiC結晶のキャリア寿命に関する研究 [O] . 林利彦 2013

机译：高击穿电压功率半导体器件的p型SiC晶体的载流子寿命研究

高耐圧パワー半導体素子の宇宙放射線環境下故障率の計算手法に関する研究

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