一种基于CMOS技术兼容硅衬底的III-V族化合物材料生长方法

摘要

本发明具体公开了一种基于CMOS技术兼容硅衬底的III‑V族化合物材料生长方法，所述方法包括以下步骤：S1、将无切角硅衬底送入MBE腔内以去除无切角硅衬底表面的氧化层；S2、在去除表面氧化层的无切角硅衬底上生长一层硅外延层并进行MBE腔内退火；S3、在经过退火后的无切角硅衬底上进行III‑V族化合物材料生长以形成III‑V族化合物缓冲层。本发明利用MBE设备在无切角硅衬底上生长了一层硅外延层，然后结合生长在硅外延层上的III‑V族化合物缓冲层将反向畴终结在III‑V族化合物缓冲层中，从而有效避免了反向畴出现在硅基光源的有源区中，解决了III‑V族化合物在外延生长到非极性的硅衬底时所产生大量反向畴的问题。