一种二硫化钼纳米带及其制备方法、场效应晶体管的电极材料

摘要

本发明涉及无机纳米材料技术领域，具体涉及一种二硫化钼纳米带及其制备方法、场效应晶体管的电极材料，所述二硫化钼纳米带的制备方法，包括以下步骤：在还原氛围的气流中，将硫氰酸盐置于所述气流的上游端，将钼酸盐置于所述气流的下游端，并在所述钼酸盐的上方悬空设置一衬底，接着在150～600℃下煅烧45‑90min。本发明采用气相沉积法在SiO2衬底直接合成了二硫化钼纳米带，该二硫化钼纳米带具有金属性边界，其开电流能≥90μA/μm；跨导≥4μS/μm，载流子迁移率≥100cm2/(V·s)，开关比≥108，可作为场效应晶体管的电极材料。