高密度低寄生跨接电容和应用其的直流降压转换器

摘要

本发明涉及一种高密度低寄生跨接电容，包括金属插值电容（MOM电容）、金属氧化物半导体（MOS）栅电容和阱之间及阱与衬底之间的寄生电容；金属插值电容由同层金属和多层堆叠金属组成，金属氧化物半导体栅电容包括交替布局的若干NMOS和PMOS的栅电容，阱之间的寄生电容由PMOS的N阱到NMOS的P阱的二极管结电容、深N阱到NMOS的P阱的二极管结电容组成，阱与衬底之间的寄生电容由深N阱到P型衬底的二极管结电容和PMOS的N阱到P型衬底的二极管结电容组成。本发明还提供一种包括前述的高密度低寄生跨接电容的直流降压转换器。本发明的电容具有较小的对地寄生电容和较高的电容密度，能够提高直流降压转换器的传输效率。