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一种具有Rashba效应的Gd吸附石墨烯纳米带体系

摘要

本发明通过基于密度泛函理论的第一性原理方法,设计出一种具有自发Rashba效应的Gd吸附石墨烯纳米带体系,计算并分析其稳定的几何结构及吸附能,并给出其电子结构及Rashba强度的计算分析方法等,为开发一类新型一维Rashba纳米体系奠定理论基础与指导。在所设计的Gd‑ZGNR体系中,锯齿状石墨烯纳米带的生长技术已经很成熟,是很容易生长和控制的,只需要外来重元素Gd的吸附就可以自发实现一维体系中的Rashba效应。

著录项

  • 公开/公告号CN111539108A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-08-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 郑州大学;

    申请/专利号CN202010332286.9

  • 发明设计人 秦真真;秦光照;邵斌;左旭;

    申请日2020-04-24

  • 分类号G06F30/20(20200101);G06F111/14(20200101);

  • 代理机构41104 郑州联科专利事务所(普通合伙);

  • 代理人付艳丽

  • 地址 450001 河南省郑州市高新区科学大道100号

  • 入库时间 2023-12-17 11:32:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-14

    公开

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