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具有氮化铟铝三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的异质结的半导体器件

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提供了一种用于形成半导体器件的方法，所述半导体器件具有布置在第二III族氮化物三元合金层上的第一III族氮化物三元合金层的异质结。确定用于第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的III族氮化物元素的浓度范围，使得在第一III族氮化物三元合金层和第二III族氮化物三元合金层的异质结的界面处的极化强度差的绝对值小于或等于0.007C/m

著录项

公开/公告号CN111480215A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-07-31

原文格式PDF
申请/专利权人阿卜杜拉国王科技大学;
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申请/专利号CN201880075712.6
发明设计人李晓航;刘开锴;
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申请日2018-10-10
分类号
代理机构北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人谢攀
地址沙特阿拉伯图沃
入库时间 2023-12-17 11:28:35

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-08-25

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/20 申请日:20181010

实质审查的生效
2020-07-31

公开

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