公开/公告号CN111490697A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-08-04
原文格式PDF
申请/专利权人 意法半导体国际有限公司;
申请/专利号CN202010066344.8
申请日2020-01-20
分类号
代理机构北京市金杜律师事务所;
代理人王茂华
地址 荷兰斯希普霍尔
入库时间 2023-12-17 11:28:35
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-28
实质审查的生效 IPC(主分类):H02M7/537 申请日:20200120
实质审查的生效
2020-08-04
公开
公开
机译: CMOS设备,包括一个NMOS晶体管和一个漏极/源极区,该NMOS晶体管具有重复的漏极和源极区,而PMOS晶体管则具有一个硅/锗材料
机译: CMOS设备,包括一个NMOS晶体管和一个漏极/源极区,该NMOS晶体管具有重复的漏极和源极区,而PMOS晶体管则具有一个硅/锗材料
机译: NMOS晶体管与大容量动态耦合至漏极