一种基于石墨烯/二硒化钨/二硒化锡叠层结构的光电器件及其制备方法

摘要

本发明提供一种基于石墨烯/二硒化钨/二硒化锡叠层结构的光电器件及其制备方法，属于半导体光电探测技术领域，该光电器件结构自下而上依次为厚度为衬底层、绝缘层、二硒化锡层、二硒化钨层、石墨烯层；二硒化锡层和石墨烯层两端分别连接金属电极；本发明光电器件结构简单，无需栅压调控，光响应度及增益高，响应速度快。