基于量子点的硅上雪崩光电二极管

摘要

基于量子点的雪崩光电二极管(QD‑APD)可以包括硅衬底和波导，在波导上形成的量子点(QD)层堆栈具有QD光吸收层、电荷倍增层(CML)和间隔层。QD堆栈可以形成在p‑n结内。波导可以包括模式转换器以促进从波导到QD光吸收层的光学耦合和光传输。QD吸收层和CML层可以是组合的或分隔开的层。当p‑n结反向偏置时，CML可以以超过100％的量子效率从吸收的光中生成电流。