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公开/公告号CN111574690A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-08-25
原文格式PDF
申请/专利权人 冯旗;
申请/专利号CN202010544310.5
发明设计人 冯旗;
申请日2020-06-15
分类号C08G61/02(20060101);H01L51/54(20060101);
代理机构
代理人
地址 332600 江西省九江市都昌县都昌镇周家嘴大红颐景园4幢104号
入库时间 2023-12-17 11:24:22
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-25
公开
机译: 具有高载流子迁移率的聚噻吩聚合物,该聚合物的制造方法以及包含该聚合物的半导体部件和有机场效应晶体管
机译: 一种具有高延展性的幅材的制造方法,所述聚合物共混物具有两亲性嵌段共聚物,具有高延展性的绒毛和用途,以及用于制备具有高延展性的幅材的聚合物混合物。
机译:在具有高分子量高空穴迁移率聚合物的共混膜中显着增强了非氟碳受体的电子传输:厚膜非氟碳聚合物太阳能电池显示出高填充因子
机译:低带隙共轭聚合物具有强大的链间聚集和非常高的空穴迁移率,以高效地形成厚膜聚合物太阳能电池
机译:具有平衡电子和空穴迁移率的高结晶性DPP聚合物的合成
机译:替代高K /金属栅高Ge含量应变SiGe FinFET,具有高空穴迁移率,出色的SS和可靠性,在侵蚀性EOT约为7Å的情况下,尺寸可缩小至4nm以下鳍片宽度
机译:具有自洽价子带结构和高k绝缘体的应变锗和钒III p沟道反型层中的空穴迁移率。
机译:具有SnO沟道层的聚合物铁电场效应存储器件具有记录空穴迁移率
机译:具有可控固体孔结构的高表面积,纳米级,介孔锰氧化物及其制备方法