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一种具有高空穴迁移率的PLED聚合物及其制备方法

摘要

本发明属有机发光显示领域,特别涉及一种具有高空穴迁移率的PLED聚合物及其制备方法。本发明提供了一种具有高空穴迁移率的PLED聚合物,其结构如式(I)所示。本发明还提供了一种具有高空穴迁移率的PLED聚合物的制备方法,包括将式(II)所示化合物和2,2'‑(9,9‑二辛基‑9H‑芴‑2,7‑二基)双(4,4,5,5‑四甲基‑1,3,2‑二氧杂硼烷)通过Suzuki偶联反应制得式(I)所示聚合物。本发明提供的一种具有高空穴迁移率的PLED聚合物及其制备方法,解决了现有的PLED器件空穴迁移率较低的技术问题。

著录项

  • 公开/公告号CN111574690A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-08-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 冯旗;

    申请/专利号CN202010544310.5

  • 发明设计人 冯旗;

    申请日2020-06-15

  • 分类号C08G61/02(20060101);H01L51/54(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 332600 江西省九江市都昌县都昌镇周家嘴大红颐景园4幢104号

  • 入库时间 2023-12-17 11:24:22

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-25

    公开

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