具有自形成扩散阻挡层的低电阻率金属互连结构

摘要

本公开提供了用于制造具有自形成扩散阻挡层的低电阻率金属互连结构的方法，以及包括具有自形成扩散阻挡层的低电阻率金属互连结构的半导体器件。例如，半导体器件包括：电介质层，该电介质层设置在衬底上；开口，该开口被蚀刻在电介质层中；金属衬里层，该金属衬里层覆盖电介质层中的开口的侧壁表面和底表面；铜材料，该铜材料填充开口以形成互连结构；和自形成扩散阻挡层，该自形成扩散阻挡层形成在电介质层的开口的侧壁表面中。自形成扩散阻挡层包括扩散到电介质层的侧壁表面中的锰原子。