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公开/公告号CN111490035A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-08-04
原文格式PDF
申请/专利权人 美光科技公司;
申请/专利号CN201911077895.8
发明设计人 D·D·施里岚;S·科尔克马兹;李健;S·萨帕;D·拉伊;
申请日2019-11-06
分类号
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人王龙
地址 美国爱达荷州
入库时间 2023-12-17 11:24:22
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-28
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/64 申请日:20191106
实质审查的生效
2020-08-04
公开
机译: 使用牺牲层形成电容器
机译: 用于形成CMP牺牲层的组合物和使用该组合物形成CMP牺牲层的方法
机译: 形成CMP牺牲层的组合物和使用相同层形成CMP牺牲层的方法
机译:使用NaCl牺牲层进行拉曼增强的Ag膜的自发纳米间隙形成
机译:使用横向形成的多孔硅作为牺牲层的新型宽尺寸独立式微结构制造技术
机译:使用牺牲层考虑牺牲层洗脱后中间的中间表面的电路转录 - 考虑牺牲层洗脱后铜膜劣化
机译:使用牺牲层和自组装制造的分子尺度间隙传感器。
机译:通过使用YBA2Cu3O7-X作为牺牲层通过使用YBA2Cu3O7-X自由晶体氧化物薄膜的快速路线
机译:在微悬臂应用中生长在氧化物牺牲层上的BaTiO3基铁电电容器的电性能
机译:lsco / plzt / lsco电容器中缺氧和空位形成