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使用牺牲层形成电容器

摘要

本发明描述与使用牺牲材料形成电容器有关的方法、设备及系统。实例性方法包含在衬底上形成第一硅酸盐材料。所述方法进一步包含在所述第一硅酸盐材料上形成第一氮化物材料。所述方法进一步包含在所述第一氮化物材料上形成第二硅酸盐材料。所述方法进一步包含在所述第二硅酸盐材料上形成第二氮化物材料。所述方法进一步包含在所述第二氮化物材料上形成牺牲材料。所述方法进一步包含穿过所述第一硅酸盐材料、所述第一氮化物材料、所述第二硅酸盐材料、所述第二氮化物材料及所述牺牲材料形成电容器材料柱。所述方法进一步包含移除所述牺牲材料以暴露所述电容器材料的顶部部分。

著录项

  • 公开/公告号CN111490035A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-08-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 美光科技公司;

    申请/专利号CN201911077895.8

  • 申请日2019-11-06

  • 分类号

  • 代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人王龙

  • 地址 美国爱达荷州

  • 入库时间 2023-12-17 11:24:22

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/64 申请日:20191106

    实质审查的生效

  • 2020-08-04

    公开

    公开

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