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公开/公告号CN111477729A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-07-31
原文格式PDF
申请/专利权人 海南师范大学;
申请/专利号CN202010480168.2
发明设计人 赵志斌;曲轶;谢琼涛;乔忠良;李林;李再金;刘国军;
申请日2020-05-30
分类号
代理机构北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人曹鹏飞
地址 571158 海南省海口市龙昆南路99号
入库时间 2023-12-17 11:20:09
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-25
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/06 申请日:20200530
实质审查的生效
2020-07-31
公开
机译: 使用阶梯型3-D阻挡图案的发光二极管的制造方法及其发光二极管
机译: 基于氮化镓的多量子阱发光二极管n型接触层结构
机译: 基于氮化镓的多量子阱发光二极管N型接触层结构
机译:阻挡层中氢处理对硅衬底上生长的V型坑绿色InGaN / GaN单量子阱发光二极管的电致发光的影响
机译:n型和p型AlGaN电子阻挡层对InGaN / GaN多量子阱发光二极管的影响
机译:没有AlGaN电子阻挡层结构的GaN基发光二极管的效率和电子泄漏特性
机译:用P型电子阻挡层和N型空穴阻挡层的蓝色IngaN发光二极管的调制性能
机译:在生物有机发光二极管中使用DNA电子阻挡层提高了发光效率和亮度。
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机译:通过P型MGZNO电子阻挡层增强MgZnO / ZnO多量子阱发光二极管的紫外线发光二极管
机译:部分翼升力对阶梯冲击中V型水上飞机水动力着陆特性影响的理论研究