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一种基于二维材料的全光二极管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于二维材料的全光二极管及其制备方法,所述全光二极管包括:第一介质层、第二介质层和位于所述第一介质层和所述第二介质层之间的石英片;其中,所述第一介质层和所述第二介质层为具有相反的非线性吸收性质的二维非线性光学材料。本发明将具有饱和吸收特性和具有反饱和吸收特性的第一介质层和第二介质层通过平行并置的方式构成一个双分子层的夹层结构,所得到的光子二极管的元件特性完全由每一组成部分决定而不需要引入新的参数,这种结构简单且无需满足周期性结构,无源的,偏振无关的,无需相位匹配。

著录项

  • 公开/公告号CN111458791A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-07-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 深圳大学;

    申请/专利号CN202010170205.X

  • 申请日2020-03-12

  • 分类号

  • 代理机构深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人吴志益

  • 地址 518060 广东省深圳市南山区南海大道3688号

  • 入库时间 2023-12-17 11:20:09

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):G02B6/122 申请日:20200312

    实质审查的生效

  • 2020-07-28

    公开

    公开

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