自旋转移矩纳米柱微波振荡器及其调控方法

摘要

本发明提供自旋转移矩纳米柱微波振荡器及其调控方法，包括采用单一材料的坡莫合金薄膜；坡莫合金薄膜的下层刻蚀成长度为最长边的片状长方体，记为底座，作为固定层；上层刻蚀成高度为最长边的纳米柱，作为自由层。本发明通过对底座宽度和厚度的调控，提高纳米柱磁矩振荡的振幅；改变纳米柱尺寸，调控纳米柱内部磁矩运动状态；在底座结构纳米柱阵列微波振荡器上，通过调控纳米柱间距达到多个纳米柱磁矩振荡信号互相锁相(即同步)，大幅度提高纳米柱阵列振荡器振荡信号的振幅、功率输出；沿底座最长边施加变化的外磁场来调控纳米柱阵列振荡器振幅以及通过加载变化的直流电流密度来调控纳米柱阵列振荡器频率。