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一种具有涡旋畴壁的双层自旋转移矩纳米柱振荡器

摘要

本发明公开了一种具有涡旋畴壁的双层自旋转移矩纳米柱振荡器,由叠加的固定层与自由层组成;所述固定层的磁矩方向与纳米柱所在平面垂直,自由层的磁矩方向与纳米柱所在平面平行,直流电流垂直于纳米柱的平面且经过自由层流经固定层。本发明提出了一种新型的纳米柱振荡器结构,通过固定层与自由层的相互作用,在直流电流下驱使自由层的磁矩振荡。从而简化了传统的STNO的三层结构,省略了隔离层,可以大大简化工艺制造流程。同时该模型可以轻松实现多个纳米柱之间的耦合振荡,提高纳米柱振荡器的振幅。

著录项

  • 公开/公告号CN110350284A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-10-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉科技大学;

    申请/专利号CN201910510754.4

  • 发明设计人 卢志红;袁晓娟;

    申请日2019-06-13

  • 分类号H01P7/00(20060101);B81B1/00(20060101);H03B28/00(20060101);

  • 代理机构42222 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人吴楚

  • 地址 430081 湖北省武汉市青山区和平大道947号

  • 入库时间 2024-02-19 15:02:55

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-11-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01P7/00 申请日:20190613

    实质审查的生效

  • 2019-10-18

    公开

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