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公开/公告号CN110350284A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-10-18
原文格式PDF
申请/专利权人 武汉科技大学;
申请/专利号CN201910510754.4
发明设计人 卢志红;袁晓娟;
申请日2019-06-13
分类号H01P7/00(20060101);B81B1/00(20060101);H03B28/00(20060101);
代理机构42222 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人吴楚
地址 430081 湖北省武汉市青山区和平大道947号
入库时间 2024-02-19 15:02:55
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-11-12
实质审查的生效 IPC(主分类):H01P7/00 申请日:20190613
实质审查的生效
2019-10-18
公开
机译: 具有相交的纳米线的磁存储器,畴壁可以通过该纳米线与存储在畴壁手性中的数据一起传播
机译: 具有受自旋极化载流子电流感应的畴壁位移控制的自旋电子器件
机译: 使用自旋转移矩振荡器的预紧器及其设计方法
机译:自旋转移力矩驱动的具有垂直各向异性的纳米柱自旋阀的畴壁运动
机译:自旋转移矩在纳米带中引起的畴壁铁磁共振
机译:电流脉冲对具有平面外各向异性的Pt / Co / Pt纳米轨道中畴壁的影响:自旋转移力矩与焦耳热
机译:具有畴壁的纳米线中自旋波构型的控制
机译:Permololoy微/纳米结构的现场驱动和旋转转移扭矩驱动的畴壁动力学
机译:由非均匀自旋电流驱动的畴壁纳米振荡器的建议
机译:改进交错海域上具有畴壁费米子的手征区核子结构