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一种LDO的输出电流采样电路及采样精度调整方法

摘要

本发明公开了一种LDO的输出电流采样电路及采样精度调整方法,LDO包括输出MOS管,其源极为电压输出端,漏极连接输入电压,该电路包括采样MOS管、运算放大器、反馈MOS管、分压电阻、可调电阻、采样电阻、第一电流输出单元和第二电流输出单元,采样MOS管栅极通过分压电阻连接输出MOS管栅极、漏极连接输入电压、源极连接可调电阻一端,运算放大器反相输入端连接电压输出端、同相输入端连接可调电阻调节端、输出端连接反馈MOS管的栅极,反馈MOS管的漏极连接可调电阻另一端、源极连接采样电阻,两个电流输出单接入在分压电阻与采样MOS管栅极之间。本发明能够大幅提高MOS管工作于饱和区和深线性区时的电流采样精度。

著录项

  • 公开/公告号CN111474975A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-07-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 成都市易冲半导体有限公司;

    申请/专利号CN202010417480.7

  • 发明设计人 王建平;戴义红;杨昀;梁恩主;

    申请日2020-05-18

  • 分类号

  • 代理机构成都九鼎天元知识产权代理有限公司;

  • 代理人胡川

  • 地址 610000 四川省成都市天府新区中国(四川)自由贸易试验区兴隆街道湖畔路303号天府菁蓉中心A区10号楼第4层西侧

  • 入库时间 2023-12-17 11:03:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-25

    实质审查的生效 IPC(主分类):G05F1/565 申请日:20200518

    实质审查的生效

  • 2020-07-31

    公开

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