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公开/公告号CN111455454A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-07-28
原文格式PDF
申请/专利权人 天通银厦新材料有限公司;
申请/专利号CN202010350379.4
发明设计人 滕斌;康森;丁钰明;尚吉龙;韩斌;王子学;
申请日2020-04-28
分类号
代理机构银川瑞海陈知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人李杰
地址 750000 宁夏回族自治区银川市西夏区银川经济技术开发区宏图南街296号
入库时间 2023-12-17 11:03:07
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-21
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B17/00 申请日:20200428
实质审查的生效
2020-07-28
公开
机译: 浮区工艺,用于生长大直径的单个蓝宝石晶体,具有用于加热带的附加感应加热系统,该加热带具有以射频工作的线圈,以设置熔化区温度梯度
机译: 超高纯度碳化硅晶体低于零生长的工艺。
机译: czochralski法生长的硅晶体中的多级砷掺杂工艺可实现低电阻率
机译:宽间隙半导体晶体生长技术-迈向先进的环境与能源社会-Chokralsky法生长蓝宝石晶体
机译:超稳定微波振荡器不同生长工艺制造的蓝宝石晶体的测试
机译:蓝宝石晶体生长工艺过程自动控制的微处理系统
机译:几乎原始的色调法在蓝宝石基材上的Aggate_2生长
机译:通过VGF工艺生长的半导体晶体中位错生成的晶体学有限元建模。
机译:凹图案蓝宝石衬底上生长的GaN基LED的晶体质量和光输出功率
机译:流动法生长红宝石和蓝宝石晶体熔剂法生长红宝石和蓝宝石晶体
机译:Ti:蓝宝石(Ti3 +:al2O3)激光晶体的水热合成与生长。