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单晶硅制绒添加剂、制绒方法以及绒面单晶硅片制备方法

摘要

本发明提供一种单晶硅制绒添加剂,包括:溶剂以及质量比为0.25%~1.5%绒面催化剂、0.1%~3%环糊精和0.52%~1.9%绒面缓蚀剂。还提供一种单晶硅制绒方法,包括:将单晶硅片通过制绒剂制绒,其中,制绒剂包括溶剂以及质量百分比为0.5%~3%碱和体积百分比为0.1%~2%如上述单晶硅制绒添加剂。还提供一种绒面单晶硅片制备方法,包括:将单晶硅片在碱性环境中进行抛光,以去除单晶硅片损伤层;将去除损伤层单晶硅片在碱液中进行清洗,以去除单晶硅片表面杂质;将去除杂质单晶硅片采用如权利要求6~8任意一项单晶硅制绒方法进行制绒;将制绒后单晶硅片在碱液中进行清洗,以去除单晶硅片表面杂质;将去除杂质单晶硅片在酸液中进行清洗。本发明能够在单晶硅片表面制备均匀细密金字塔结构。

著录项

  • 公开/公告号CN111455467A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-07-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;

    申请/专利号CN202010276903.8

  • 发明设计人 李新普;高志博;贾锐;

    申请日2020-04-09

  • 分类号C30B33/10(20060101);C30B29/06(20060101);

  • 代理机构11667 北京兰亭信通知识产权代理有限公司;

  • 代理人陈晓瑜

  • 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号

  • 入库时间 2023-12-17 11:03:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B33/10 申请日:20200409

    实质审查的生效

  • 2020-07-28

    公开

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