公开/公告号CN111455467A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-07-28
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;
申请/专利号CN202010276903.8
申请日2020-04-09
分类号C30B33/10(20060101);C30B29/06(20060101);
代理机构11667 北京兰亭信通知识产权代理有限公司;
代理人陈晓瑜
地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3号
入库时间 2023-12-17 11:03:07
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-21
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B33/10 申请日:20200409
实质审查的生效
2020-07-28
公开
公开
机译: 通过控制热区炉的拉速曲线制造单晶硅片和硅片的方法,以及由此制得的硅片和硅片
机译: 掺Si的GaAs单晶硅片及其制备方法,以及掺Si的GaAs单晶硅片由Si掺杂的GaAs单晶硅片制成
机译: 在单晶硅片上制备绒面革的添加剂及其使用方法