公开/公告号CN111562720A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-08-21
原文格式PDF
申请/专利权人 东京毅力科创株式会社;国立大学法人大阪大学;
申请/专利号CN202010075147.2
申请日2015-02-17
分类号G03F7/004(20060101);C07C303/32(20060101);C07C309/07(20060101);C07C381/12(20060101);C08F220/14(20060101);C08F220/22(20060101);C08F220/28(20060101);C08F220/38(20060101);G03F1/20(20120101);G03F1/24(20120101);G03F1/26(20120101);G03F7/00(20060101);G03F7/038(20060101);G03F7/039(20060101);G03F7/16(20060101);G03F7/20(20060101);G03F7/32(20060101);G03F7/38(20060101);H01L21/027(20060101);
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人白丽
地址 日本东京都
入库时间 2023-12-17 11:03:07
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-21
公开
公开
机译: 光敏化学放大型抗蚀剂材料,使用该抗蚀剂材料形成图案的方法,半导体器件,用于光刻的掩模和用于纳米压印的模板
机译: 光敏化学放大抗蚀剂材料,使用该抗蚀剂材料的图案形成方法,半导体器件,光刻掩模和纳米压印模板的制造方法
机译: 光敏化学放大抗蚀剂材料,使用该抗蚀剂材料的图案形成方法,半导体器件,光刻掩模和纳米压印模板的制造方法