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公开/公告号CN111562707A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-08-21
原文格式PDF
申请/专利权人 南京邮电大学;
申请/专利号CN202010353721.6
发明设计人 蒋建;王瑞婷;刘智慧;李昊;
申请日2020-04-28
分类号G02F1/35(20060101);G02F7/00(20060101);G03H1/08(20060101);
代理机构32204 南京苏高专利商标事务所(普通合伙);
代理人柏尚春
地址 210046 江苏省南京市栖霞区文苑路9号
入库时间 2023-12-17 11:03:07
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-21
公开
机译: 技术领域[0001]本发明涉及一种用于制造层状超晶格材料的方法和包括该层状超晶格材料的电子器件的制造方法(制造层状超晶格材料和制造包括相同层的电子器件的方法)
机译: 半导体层结构具有超晶格,该超晶格具有一种成分和另一种成分的连接半导体的交替堆叠层,其中堆叠层具有特定浓度的掺杂剂
机译: 用于非线性过程的非线性控制器的设计方法
机译:仅在一个光学超晶格中级联非线性过程产生的五件连续变量纠缠
机译:通过基质辅助激光解吸/电离和源后衰减质谱法进行肽测序:一种快速的寡核苷酸杂交探针设计方法,用于从多色Trametes中克隆编码吡喃糖2-氧化酶的cDNA
机译:用于神经形态网络和非线性控制系统的准周期AlGaAs超晶格
机译:一种基于LMI的超扭曲观察者设计方法,该方法应用于皱纹念珠菌橄榄油生产脂肪酶的过程中
机译:超分辨率和超定位显微镜:一种用于化学和生物过程成像的新颖工具。
机译:晶体超晶格中的非线性干涉
机译:超分辨率和超定位显微镜:一种用于化学和生物过程成像的新颖工具
机译:应变层超晶格和晶格失配外延层中位错的光学成像