公开/公告号CN111499410A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-08-07
原文格式PDF
申请/专利权人 湘潭大学;
申请/专利号CN202010219800.8
申请日2020-03-25
分类号C04B41/85(20060101);C04B41/91(20060101);C23C16/02(20060101);C23C16/27(20060101);
代理机构44341 深圳市爱迪森知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人何婷;田利琼
地址 411105 湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘27号
入库时间 2023-12-17 11:03:07
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-07
公开
公开
机译: 单晶碳化硅基体的表面平整方法,单晶碳化硅基体的制备方法以及单晶碳化硅基体
机译: 单晶碳化硅的液相增长曲线法,单晶碳化硅基体的制备方法以及单晶碳化硅基体
机译: 用该方法制造碳化硅基质,肖特基势垒二极管和碳化硅膜及碳化硅基质的制备方法