用于生产氧正硅酸盐材料的晶体生长气氛

摘要

本发明涉及用于生产氧正硅酸盐材料的晶体生长气氛。公开了生长稀土氧正硅酸盐晶体的方法和使用所述方法生长的晶体。所述方法包括通过熔融包含至少一种第一稀土元素的第一物质来制备熔体和提供包含惰性气体和含氧气体的气氛。