公开/公告号CN111517308A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-08-11
原文格式PDF
申请/专利权人 湖南二零八先进科技有限公司;
申请/专利号CN202010247828.2
申请日2020-04-01
分类号C01B32/186(20170101);C03C17/00(20060101);C03C17/22(20060101);C03C17/36(20060101);G01C19/66(20060101);
代理机构11616 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司;
代理人李朦
地址 410000 湖南省长沙市开福区芙蓉北路街道金马路377号福天兴业综合楼407房
入库时间 2023-12-17 10:58:52
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-11
公开
公开
机译: CVD-石墨烯和无聚合物的方法将CVD生长的石墨烯转移到疏水性基质上
机译: 等离子体增强化学气相沉积法在硅上单步直接生长大石墨烯和基于石墨烯的纳米结构
机译: 使用激光制造石墨烯的方法,由其制造的石墨烯和在碳化硅基质上生长硅的能力相同的设备以及生长石墨烯的装置