用于电膜工艺中非对称极性反转的方法和设备

摘要

描述了一种通过施加具有高强度和可变频率的非对称反向极性脉冲来中断浓差极化相关现象和用于电膜工艺的自清洁的方法和设备的电路。该设备是双极开关，基于使用诸如MOSFET(金属氧化物半导体半场效应晶体管)或IGBT(绝缘栅双极晶体管)的固态电子元件来以一个范围的频率、强度和脉冲宽度进行极性反转，以防止或减少在膜表面上形成沉淀物。还提供了反转方案，其中频率根据膜上污垢的出现而变化，该频率通过在电膜工艺中膜单元的电压或电阻的降低来测量。当需要清洁系统时，可以单独施加高频，也可以与其他物理化学原位清洁程序(CIP，就地清洁)一起施加。各种固态电子元件可以并联连接。所述多个元件允许施加更高的功率。该设备和配置使用第二电源来提供经调制且稳定的高强度脉冲。可以通过更换适合极性反转的电极且添加所描述的第二电源和双极开关很容易更新电膜工艺。