一种热辅助磁性斯格明子存储器及数据写入方法

摘要

本发明公开了一种热辅助磁性斯格明子存储器，属于数字电路技术领域，包括：依次叠放的钉扎层、隧穿层、自由层和重金属层；钉扎层、隧穿层和自由层构成磁隧道结；钉扎层和自由层均具有垂直磁各向异性；钉扎层和隧穿层为圆柱结构，且二者膜面均小于自由层的膜面，用于向自由层注入单向局部电流，以诱导自由层中斯格明子的产生，或使自由层中斯格明子湮灭；重金属层的膜面形状与自由层的膜面形状相同，用于与自由层产生界面DMI，以稳定斯格明子；钉扎层和重金属层外侧还分别叠放有热势垒层，且均由导热系数较低的材料制成，用于提高加热效率。本发明相比于传统的热辅助磁存储器，能够有效降低加热温度，提高存储器件的可靠性。