用于半导体纳米线和纳米带的环绕式接触结构

摘要

本公开描述了用于半导体纳米线和纳米带的环绕式接触结构、以及制造用于半导体纳米线和纳米带的环绕式接触结构的方法。在示例中，集成电路结构包括在半导体子鳍状物的第一部分上方的半导体纳米线。栅极结构围绕半导体纳米线的沟道部分。源极区或漏极区在栅极结构的第一侧，该源极区或漏极区包括在半导体子鳍状物的第二部分上的外延结构，该外延结构具有与半导体子鳍状物的第二部分对准的基本垂直的侧壁。导电接触结构沿半导体子鳍状物的第二部分的侧壁并且沿外延结构的基本垂直的侧壁。