公开/公告号CN111403575A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-07-10
原文格式PDF
申请/专利权人 华中科技大学;
申请/专利号CN202010159288.2
申请日2020-03-09
分类号H01L33/50(20100101);H01L33/56(20100101);H01L33/64(20100101);H01L33/48(20100101);H01L25/075(20060101);
代理机构42201 华中科技大学专利中心;
代理人李智;孔娜
地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
入库时间 2023-12-17 10:41:53
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-04
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/50 申请日:20200309
实质审查的生效
2020-07-10
公开
公开
机译: 半导体芯片,即薄膜LED芯片,具有可透过有源区发出的辐射的导电接触层,并且在半导体本体的侧面设有光子晶体或准晶体
机译: LED芯片磷化铟镓铝芯片,用作LED改装灯的LED模块的薄膜表面散热器芯片,在芯片上应用了滤光片,滤光片的透射率随波长的增加而部分增加
机译: 具有高能量转换价值的光子晶体膜,特别适用于太阳能电池中的硅,复合太阳能电池中的有机太阳能电池中以及薄膜光伏中的应用。