一种提高体约束鳍型结构闪存单元耦合率的器件结构

摘要

本发明提供一种提高体约束鳍型结构闪存单元耦合率的器件结构，凸出于有源区表面平行分布的多个鳍结构；鳍结构的左右两个侧壁及顶部覆盖有浮栅，覆盖部位为沿鳍结构长度方向的一部分；覆盖部分为分散结构；分散结构由自下而上多个等间隔分布的叠层组成；并且相邻两个鳍结构之间各自的侧壁共用一个分散结构。本发明的鳍型结构可以增加相邻浮栅极之间的距离，降低之间的耦合电容，降低相互单元之间的互扰，增加耦合率。有利于增加漏极电压，提高编程速度；有利于进一步降低栅极电压。结合约束鳍型结构的高编程效率可以为后续的闪存单元继续缩减提供更多的优化选择。