高密度等离子体化学气相沉积制程形成氧化硅层的方法

摘要

本发明公开一种高密度等离子体化学气相沉积(HDP‑CVD)制程形成氧化硅层的方法，包含以下步骤。首先进行装载步骤，将半导体基底置于等离子体反应室内的承载台上，接着进行预热步骤，包含通入预热气体至等离子体反应室。然后，进行沉积步骤，包含通入反应气体至等离子体反应室并开始于半导体基底上沉积氧化硅层，其中该承载台的一冷却系统于沉积步骤中为关闭，使半导体基底于沉积步骤中被逐渐加热至摄氏550度至600度之间。接着，进行吹除步骤，包含停止通入反应气体并通入吹除气体。最后进行卸载步骤，将该半导体基底移出该等离子体反应室。