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公开/公告号CN111247579A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-06-05
原文格式PDF
申请/专利权人 株式会社矽因赛德;
申请/专利号CN201980003340.0
发明设计人 金镇赫;金钟善;
申请日2019-01-10
分类号G09G3/32(20160101);
代理机构11384 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人郑青松
地址 韩国首尔市瑞草区论岘路1632层
入库时间 2023-12-17 10:29:11
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-30
实质审查的生效 IPC(主分类):G09G3/32 申请日:20190110
实质审查的生效
2020-06-05
公开
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机译: 通过完全消除驱动PMOS阈值电压的干扰来制造μLED像素结构的方法
机译: 减小驱动PMOS阈值电压影响的微LED像素结构控制方法
机译:用于AMOLED的新型PMOS LTPS-TFT像素通过采用复位电压驱动来抑制对OLED电流的滞后效应
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机译:一种用于消除介词义歧义的特征结构方法。
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