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用于完全消除驱动PMOS阈值电压的干扰的控制μLED像素结构方法

摘要

本发明涉及一种控制μLED像素结构的方法,更具体而言,本发明涉及一种具有如下特征的控制μLED像素结构的方法,该方法在确定流向μLED的电流的大小时,完全消除驱动PMOS阈值电压的干扰,从而更容易控制μLED的灰度。

著录项

  • 公开/公告号CN111247579A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-06-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社矽因赛德;

    申请/专利号CN201980003340.0

  • 发明设计人 金镇赫;金钟善;

    申请日2019-01-10

  • 分类号G09G3/32(20160101);

  • 代理机构11384 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人郑青松

  • 地址 韩国首尔市瑞草区论岘路1632层

  • 入库时间 2023-12-17 10:29:11

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-06-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):G09G3/32 申请日:20190110

    实质审查的生效

  • 2020-06-05

    公开

    公开

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