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一种同步工作型SiC MOSFET Boost直流-直流变换器死区设置方法

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本发明公开了一种同步工作型SiC MOSFET Boost直流‑直流变换器死区设置方法，包括以下步骤：S1、获取变换器输出电压及输入电感电流；S2、通过SiC MOSFET及其驱动的数据手册获取相关参数信息；S3、利用所提公式计算SiC MOSFET漏源电压为输出电压时的输出电荷；S4、利用所提公式计算死区时间一T

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公开/公告号CN111313677A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-06-19

原文格式PDF
申请/专利权人南通大学;
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申请/专利号CN202010248870.6
发明设计人张雷;杨德健;任磊;李雅;季润阳;
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申请日2020-04-01
分类号
代理机构
代理人
地址 226019 江苏省南通市崇川区啬园路9号
入库时间 2023-12-17 10:24:54

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-07-14

实质审查的生效 IPC(主分类):H02M1/38 申请日:20200401

实质审查的生效
2020-06-19

公开

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