分布反馈式激光器的新型电流阻挡层结构

摘要

本发明公开了一种分布反馈式激光器的新型电流阻挡层结构，属于半导体技术领域，包括：第一种掺杂的半导体层、第二种掺杂的半导体层和电极层；第一种掺杂的半导体层内设置有第一电流阻挡层；第一电流阻挡层上开设有第一开口；第二种掺杂的半导体层内设置有第二电流阻挡层，第二电流阻挡层上开设有第二开口；第一开口位于第二开口的正下方。本发明通过对结区内外加电场分布的调制作用来调控结区内的电子和空穴复合效率，控制激光器的光电输出。通过使电场局限在小孔处来提高小孔区域有源区的电子与空穴浓度，从而提高载流子复合效率，提高发光效率；另一方面在空间上限制了发光区域的大小，使激光器的输出更为聚焦。