谐振腔增强型光探测器及其制造方法

摘要

本发明实施例提供了一种谐振腔增强型光探测器及其制造方法。谐振腔增强型光探测器包括衬底、底部DBR和GaAs光栅层，其中，所述底部DBR设置在所述衬底上并且包括层叠设置的第一分布布拉格反射镜，所述GaAs光栅层设置在所述底部DBR上。本发明实施例提供的谐振腔增强型光探测器及其制造方法，通过以GaAs作为探测器的衬底，在底部DBR上采用外延方法生长GaAs光栅层，根据当光栅的周期达到波长量级或者小于波长时，其衍射特性往往与偏振相关这一特性，即利用光栅的偏振选择特性实现了谐振腔增强型光探测器的偏振选择功能。