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基于超表面的广角散射和定向散射的元件结构及设计方法

摘要

本发明公开了一种基于超表面的广角散射和定向散射的元件结构及设计方法。本发明的设计方法针对工作波长,优化设计单元结构,通过改变硅纳米砖转向角可以调控相位,将所需的散射光场输入算法,计算相位排布,根据算法给出的相位梯度排布硅纳米砖的转向角,用工作波长垂直照射即可得到所需的广角散射或定向散射光场。本发明方法设计流程简单且设计的相位梯度通用;提高了对光散射方向的控制能力,使光散射到设计的角度范围;散射元件为超表面,更轻薄以及便于集成化;可广泛应用于光学照明、光学成像等领域。

著录项

  • 公开/公告号CN111413754A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-07-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 武汉大学;

    申请/专利号CN202010147224.0

  • 申请日2020-03-05

  • 分类号G02B5/02(20060101);G02B27/00(20060101);G06F30/20(20200101);

  • 代理机构42222 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人艾小倩

  • 地址 430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学

  • 入库时间 2023-12-17 10:20:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-08-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):G02B5/02 申请日:20200305

    实质审查的生效

  • 2020-07-14

    公开

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