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公开/公告号CN111438630A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-07-24
原文格式PDF
申请/专利权人 东晶电子金华有限公司;
申请/专利号CN202010395714.2
发明设计人 符清铭;虞亚军;李庆跃;骆红莉;郭雄伟;黄文俊;林土全;
申请日2020-05-12
分类号
代理机构北京友联知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人汪海屏
地址 321000 浙江省金华市婺城区宾虹西路555号
入库时间 2023-12-17 10:20:40
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-08-18
实质审查的生效 IPC(主分类):B24B37/10 申请日:20200512
实质审查的生效
2020-07-24
公开
机译: 晶片研磨装置,晶片研磨方法,晶片研磨程序及晶片研磨控制装置
机译: 用于研磨半导体晶片的后表面的研磨方法以及用于研磨半导体晶片的后表面的研磨装置,该方法能够制造具有期望的平均值的晶片
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机译:基于研磨的硅晶片制造方法:研磨晶片上中心凹痕的产生机理
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