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对3D存储器件进行编程的方法及相关3D存储器件

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摘要

在包括堆叠在第二沟道上的第一沟道的沟道堆叠存储器件中，按照从底部到顶部的方向对第一沟道进行编程并且按照从顶部到底部的方向对第二沟道进行编程。第一沟道中的电子可以由位线汲取，而第二沟道中的电子则可以由阱区汲取。

公开/公告号CN111344793A

专利类型发明专利
公开/公告日2020-06-26

原文格式PDF
申请/专利权人长江存储科技有限责任公司;
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申请/专利号CN202080000292.2
发明设计人杨学鹏;游开开;
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申请日2020-02-06
分类号G11C16/10(20060101);H01L27/11519(20170101);H01L27/11524(20170101);H01L27/11556(20170101);H01L27/11565(20170101);H01L27/1157(20170101);H01L27/11582(20170101);
代理机构11376 北京永新同创知识产权代理有限公司;
代理人刘健;张殿慧
地址 430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
入库时间 2023-12-17 10:16:29

1. 对3D存储器件进行编程的方法及相关3D存储器件 [P] . 中国专利： CN111344793A . 2020-06-26
2. 对存储器件进行编程的方法及相关存储器件 [P] . 中国专利： CN110945591B . 2021.01.29
3. Metal floating gate composite 3D NAND memory devices and associated methods [P] . 美国专利： US10141322B2 . 2018-11-27

机译：金属浮栅复合3D NAND存储器件及其相关方法
4. Methods of programming non-volatile semiconductor memory devices including coupling voltages and related devices [P] . 美国专利： US6987694B2 . 2006-01-17

机译：对包括耦合电压的非易失性半导体存储器件进行编程的方法以及相关器件
5. Methods of programming non-volatile semiconductor memory devices including coupling voltages and related devices [P] . 美国专利： US2004080980A1 . 2004-04-29

机译：对包括耦合电压的非易失性半导体存储器件进行编程的方法以及相关器件