二维光子晶体平板、设计方法及利用此平板的光器件

摘要

本发明涉及一种二维光子晶体平板、设计方法以及利用此平板的光器件。所述二维光子晶体平板包括上包层、下包层和位于所述上包层和所述下包层之间的二维光子晶体核心层。二维光子晶体核心层为有限高的二维光子晶体。所述二维光子晶体平板具有完全光子带隙，其位于上包层和下包层所确定的包层光线以及二维光子晶体平板的类TE模式的最低阶光子能带曲线下方并位于类TM模式的最低阶光子能带曲线上方，并且所述有限高的二维光子晶体所对应的无限高理想二维光子晶体在TM模式的最低阶能带曲线与第二低阶能带曲线之间具有TM偏振态的光子带隙。所述二维光子晶体平板可以在最大折射率比较低的情况下形成完全光子带隙。