具有碳基导电元件的重分布层、制造方法以及相关的半导体装置封装和系统

摘要

本申请涉及具有碳基导电元件的重分布层，制造方法以及相关的半导体装置封装和系统。半导体装置封装包含具有碳基导电元件的重分布层RDL。所述RDL的所述碳基材料可以具有低电阻率并且可以是薄的(例如，小于约0.2μm)。相邻的钝化材料也可以是薄的(例如，小于约0.2μm)。形成所述半导体装置封装的方法包含在具有牺牲衬底的初始支撑晶片上形成所述碳基材料(例如，在高温(例如，至少约550℃)下)。稍后或分别地，可以形成所述封装的装置区域的组件，然后将其结合到所述初始支撑晶片，随后去除所述牺牲衬底以留下结合到所述装置区域的所述碳基材料。