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一种基于薄纳米片状MXene碳化铌的湿度传感器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于薄纳米片状MXene碳化铌的湿度传感器及其制备方法,涉及湿敏元件及其制备技术领域,本发明由带有电极的衬底层和湿度敏感层组成,所述的湿度敏感层由薄纳米片状MXene碳化铌敏感材料制得。制备方法包括以下步骤:对敏感器件进行预处理;制备薄纳米片状MXene碳化铌敏感材料分散液;用制备好的薄纳米片状MXene碳化铌敏感材料分散液在敏感器件上制备湿度敏感层,最后干燥得到湿度传感器;本发明利用薄纳米片状MXene碳化铌的大比表面积与优异吸水性所获得的湿度传感器具有响应高、速度快等优点。

著录项

  • 公开/公告号CN111366615A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-07-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN202010223240.3

  • 申请日2020-03-26

  • 分类号

  • 代理机构成都弘毅天承知识产权代理有限公司;

  • 代理人邓芸

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2023-12-17 09:59:34

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-07-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N27/12 申请日:20200326

    实质审查的生效

  • 2020-07-03

    公开

    公开

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