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制造多晶硅的闪光灯退火方法

摘要

一种制造多晶硅(p‑Si)的方法,包括:沉积无定形硅以产生无定形硅超级台面;对无定形硅进行脱氢;对超级台面进行图案化以产生图案化基材;在图案化基材上的无定形硅上沉积氧化物覆盖层;将覆盖的图案化基材加热到a‑Si的结晶温度;以及使用氙灯对图案化基材进行闪光灯退火以产生具有至少一个超级台面且所述超级台面具有超尺寸晶粒的p‑Si。还公开了p‑Si制品和包含所述制品的装置,以及制造p‑Si制品的设备。

著录项

  • 公开/公告号CN111279458A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2020-06-12

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 康宁股份有限公司;

    申请/专利号CN201880050286.0

  • 发明设计人 K·D·希施曼;R·G·曼利;T·穆德高;

    申请日2018-07-30

  • 分类号

  • 代理机构上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人张璐

  • 地址 美国纽约州

  • 入库时间 2023-12-17 09:55:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-07-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/20 申请日:20180730

    实质审查的生效

  • 2020-06-12

    公开

    公开

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