一种基于硅基超材料的太赫兹波调制器

摘要

本发明公开了一种基于硅基超材料的太赫兹波调制器，包括硅基底层和超材料结构层，所述超材料结构层生长在硅基底层的一侧表面。所述调制器采用加载电压和激光照射激励信号的方式使调制效果产生。本发明中的硅基超材料结构是一种新的超材料结构，并且可以直接将电压加载在超材料结构上，不需额外制作电极；本发明中的硅基超材料太赫兹波调制器对太赫兹波有明显调制作用，是一种新的太赫兹波幅度调制器，光调制深度最高可达38％，并且可以通过加载电压变化改变调制深度。