公开/公告号CN111305449A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-06-19
原文格式PDF
申请/专利权人 深圳市于强环境艺术设计有限公司;
申请/专利号CN202010202289.0
发明设计人 毛桦;
申请日2020-03-20
分类号E04B9/18(20060101);E04B9/06(20060101);E04B9/22(20060101);
代理机构
代理人
地址 518000 广东省深圳市南山区华侨城东部工业区A3栋502
入库时间 2023-12-17 09:42:29
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-07-14
实质审查的生效 IPC(主分类):E04B9/18 申请日:20200320
实质审查的生效
2020-06-19
公开
公开
机译: 光刻术布局设计方法,光刻术布局设计设备以及包含一个或多个命令的计算机可读介质,用于执行光刻术布局设计的一种或多种命令
机译: 记录了半导体集成电路的布局设计系统,半导体集成电路的布局设计方法和计算机可读记录介质,该程序允许计算机执行系统中的特定装置或方法中的特定步骤
机译: 记录了半导体集成电路的布局设计系统,半导体集成电路的布局设计方法和计算机可读记录介质,该程序允许计算机执行系统中的特定装置或方法中的特定步骤