法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-07-21
实质审查的生效 IPC(主分类):G01N23/20 申请日:20200304
实质审查的生效
2020-06-26
公开
公开
机译: 在非晶和多晶衬底上薄膜cSi的低温异质外延生长方法以及在非晶,多晶和晶体衬底上的c-Si器件的低温异质外延生长方法
机译: 具有非晶点的相变记录介质,每个非晶点由一对高功率和低记录脉冲形成
机译: 半导体材料的激光处理-使用低功率和高功率剂量来结晶或退火在非晶衬底上生长的非晶结构厚度