具有抗辐射加固结构的低功耗晶体管器件及其制备方法

摘要

一种具有抗辐射加固结构的低功耗晶体管器件，其特征在于，包括衬底，位于衬底之上的埋氧层，位于所述埋氧层之上的体硅层，位于所述体硅层之中、两侧的源区和漏区，位于体硅层之上的栅氧化层，位于所述栅氧化层之上的栅极叠层结构，所述栅极叠层结构自下而上依次为下极板金属层/铁电层/上极板金属层，或者自下而上依次为铁电层/上极板金属层。本发明晶体管器件通过在栅氧化层上制作栅极叠层结构，实现沟道电势大于外部栅极电压，突破热力学限制下的60mV/dec的亚阈值摆幅，降低工作电压从而降低器件的功耗，同时通过多次分步离子注入，获得与体硅层具有相同厚度的源漏结深，使源漏结与底部的埋氧层接触，提高了器件的抗单粒子辐照能力。