一种制备表面覆盖金属格栅CVD钻石晶片的方法

摘要

本发明涉及半导体工艺和光学工程技术领域，且公开了一种制备表面覆盖金属格栅CVD钻石晶片的方法，具体方法包括以下步骤：S1、筛选需要尺寸的CVD钻石晶片，将CVD钻石晶片放入温水中清洗去除CVD钻石晶片的杂质和污垢，清洗后将CVD钻石晶片放入烘干机中进行快速烘干，烘干时间为5‑7min；S2、取PVC掩膜带，将PVC掩膜带裁剪成需要的尺寸，将使用高温胶带将PVC掩膜带固定在CVD钻石晶片上；S3、对粘接有PVC掩膜带的CVD钻石晶片进行镀膜前处理，处理后将粘接有PVC掩膜带的CVD钻石晶片放入电子束蒸发镀膜机腔内，将电子束蒸发镀膜机腔内抽真空至3E‑7Pa以下。该制备表面覆盖金属格栅CVD钻石晶片的方法，能够快速的在CVD钻石晶片的表面形成金属格栅，且能够降低制备成本。